Description
TIP48G Transistor NPN TO-220 ON Semiconductor
- Transistor bipolaire NPN (BJT)
- Tension collecteur émetteur Vceo : 300V
- Courant collecteur Ic : 1A
- Gain courant hFE : 30 à 150
- Tension base émetteur Vbe : 1.5V
- Tension de saturation Vce(sat) : 1V
- Dissipation de puissance : 40W
- Température de jonction : +150°
- Boitier : TO-220AB
- Conforme RoHS
- Fabricant : ON Semiconductor