TIP31G Transistor BJT NPN 40V 3A TO-220AB ONS

TIP31G Transistor BJT NPN 40V 3A TO-220AB ONS RoHS

• Transistor bipolaire NPN (BJT)
• Tension collecteur émetteur VCEO : 40V
• Courant collecteur Ic : 3A
• Gain en courant hFE : 10 à 50
• Tension base émetteur Vbe : 1.8V
• Tension de saturation Vce(sat) : 1.2Vdc
• Dissipation de puissance : 40W
• Température de jonction : +150°
• Boitier : TO-220AB
• Conforme RoHS
• Fabricant : ON Semiconductor