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STP10NK60Z Transistor MOSFET 10A 600V TO-220 STM
- Transistor MOSFET canal N
- Technologie : SuperMESH
- Protection : Grille protégée par Zener
- Tension drain source VDSS : 600V
- Courant drain ID : 10A
- Tension seuil VGS (th) : 4.5V
- Tension max grille (VGS) : +30V
- Dissipation de puissance : 115W
- Température de jonction : -55° à +150°
- Boitier : TO-220
- Conforme RoHS
- Fabricant : STMicroelectronics
27 en stock
STM
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