MJD44H11 Transistor BJT NPN 80V 8A 20W TO-252 Nexperia

MJD44H11 Transistor BJT NPN 80V 8A 20W TO-252 Nexperia

• Transistor bipolaire NPN (BJT)
• Tension collecteur émetteur Vce max : 80V
• Courant collecteur IC max : 8A
• Dissipation de puissance : 20W
• Fréquence de transition fT : 160MHz
• Gain en courant hFE : 40
• Température d'utilisation : -55° +150°
• Boitier : TO-252
• Conforme RoHS
• Fabricant : Nexperia