Description
KSD1691G Transistor BJT NPN 60V 5A 1300mW 200 à 400hFE TO-126 ONS RoHS
- Faible tension de saturation du collecteur-émetteur et grand courant de collecteur
- Dissipation De Puissance Élevée : PC= 1,3 W (Ta=25°C)
- Complémentaire à KSB1151
KSD1691G Transistor BJT NPN 60V 5A 1300mW 200 à 400hFE TO-126 ONS RoHS