KSD1691-Y Transistor BJT NPN 60V 5A 20W TO-126 ONS


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Conforme RoHS

Description

KSD1691G Transistor BJT NPN 60V 5A 1300mW 200 à 400hFE TO-126 ONS RoHS

  • Faible tension de saturation du collecteur-émetteur et grand courant de collecteur
  • Dissipation De Puissance Élevée : PC= 1,3 W (Ta=25°C)
  • Complémentaire à KSB1151


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