Description
IRGB4620DPBF Transistor IGBT N-CH 600V 32A 140mW TO-220AB Infineon RoHS
- Transistor IGBT canal N + Diode antiparallèle
- Tension collecteur émetteur Vce max : 600V
- Courant collecteur Ic : 32A
- Courant impulsion Icm : 36A
- Tension grille Vge max : 20V
- Vce (sat) : 1.5 à 1.85V
- Dissipation de puissance : 140W
- Température de jonction max : 175°
- Boitier : TO-220AB
- Conforme RoHS
- Fabricant : Infineon