IRGB4620DPBF Transistor IGBT N-CH 600V 32A 140mW TO-220AB Infineon

IRGB4620DPBF Transistor IGBT N-CH 600V 32A 140mW TO-220AB Infineon RoHS

• Transistor IGBT canal N + Diode antiparallèle
• Tension collecteur émetteur Vce max : 600V
• Courant collecteur Ic : 32A
• Courant impulsion Icm : 36A
• Tension grille Vge max : 20V
• Vce (sat) : 1.5 à 1.85V
• Dissipation de puissance : 140W
• Température de jonction max : 175°
• Boitier : TO-220AB
• Conforme RoHS
• Fabricant : Infineon