Description
IRFP260NPBF Transistor Hexfet 200V 50A TO-247 I.R. RoHS
- Transistor MOSFET canal N
- Tension drain source Vds max : 200V
- Courant drain continu Id : 50A
- Résistance à l'état passant Rds(on) : 0.04ohm
- Tension de seuil grille Vgs(th) : 2 à 4V
- Tension max grille Vgs max : 20V
- Dissipation de puissance : 300W
- Température de fonctionnement : -55° à +175°
- Boitier : TO-247
- Conforme RoHS
- Fabricant : International Rectifier

