Description
IRFP150NPBF Transistor 100V 42A TO-247 Infineon RoHS
- Transistor MOSFET canal N (HEXFET)
- Tension drain source Vds max : 100V
- Courant drain continu Id : 42A
- Résistance Rds(on) : 0.036ohm
- Tension Gate max Vgs : +20V
- Tension de seuil Vgs(th) : 3 à 4V
- Dissipation de puissance : 160W
- Température de jonction : -55° +175°
- Boitier : TO-247
- Conforme RoHS
- Fabricant : Infineon
Utiliser pour applications de puissance basse tension et fort courant.