Description
IRF640NPBF Transistor Mosfet 200V 18A TO-220 I.R. RoHS
- Transistor MOSFET canal N
- Tension drain source Vds : 200V
- Courant de drain Id : 18A
- Résistance Rds : 0.15-0.18ohm
- Tension grille source Vgs max : +20V
- Commande typique : 10V
- Puissance dissipée max : 125W
- Boitier : TO-220
- Conforme RoHS
- Fabricant : International Rectifier