IRF540NPBF Transistor MOSFET 100V 33A TO-220 Infineon

IRF540NPBF Transistor MOSFET 100V 33A TO-220 Infineon RoHS

• Transistor MOSFET canal N
• Technologie : HEXFET
• Tension drain source Vds max : 100V
• Courant drain continu Id : 33A
• Courant impulsion Idm : 110A
• Resistance Rds(on) : 44mohm
• Tension de seuil de grille Vgs(th) : 2 à 4V
• Tension grille max Vgs : 20V
• Dissipation de puissance : 150W
• Température de jonction : +175°
• Boitier : TO-220
• Conforme RoHS
• Fabricant : Infineon