Description
IRF3205SPBF Transistor MOSFET 55V 110A D2PAK I.R. RoHS
- Transistor MOSFET canal N
- Technologie : HEXFET
- Tension drain source Vds max : 55V
- Courant drain continu Id : 110A
- Courant d'impulsion Idm : 300 à 390A
- Résistance Rds(on) : 8mOhm
- Tension de seuil Vgs(th) : 2 à 4V
- Tension grille max Vgs : 20V
- Dissipation de puissance : 200W
- Température de jonction : +175°
- Boitier : D2PAK
- Conforme RoHS
- Fabricant : International Rectifier