IRF3205SPBF Transistor MOSFET 55V 110A D2PACK I.R.

IRF3205SPBF Transistor MOSFET 55V 110A D2PAK I.R. RoHS

• Transistor MOSFET canal N
• Technologie : HEXFET
• Tension drain source Vds max : 55V
• Courant drain continu Id : 110A
• Courant d'impulsion Idm : 300 à 390A
• Résistance Rds(on) : 8mOhm
• Tension de seuil Vgs(th) : 2 à 4V
• Tension grille max Vgs : 20V
• Dissipation de puissance : 200W
• Température de jonction : +175°
• Boitier : D2PAK
• Conforme RoHS
• Fabricant : International Rectifier