Description
H11A1M Optocoupleur phototransistor DIP-6 ONS
- Optocoupleur (LED infrarouge + Phototransistor
- Sortie : Phototransistor NPN
- Tension d'isolation : 5300Vrms
- Tension collecteur émetteur VCEO : 80V
- Tension LED VF : 1.2V
- Courant LED IF Max : 60mA
- Courant collecteur IC max : 50mA
- Taux de transfert de courant CTR : 20% à 50%
- VCE(sat) : 0.2V
- Température de fonctionnement : -55° à +100°
- Boitier : DIP-6
- Conforme RoHS
- Fabricant : ON Semiconductor
Utiliser pour assurer une isolation électrique entre deux circuits, idéal pour signaux propres plutôt que puissance.