H11A1M Optocoupleur phototransistor DIP-6 ONS

H11A1M Optocoupleur phototransistor DIP-6 ONS

• Optocoupleur (LED infrarouge + Phototransistor
• Sortie : Phototransistor NPN
• Tension d'isolation : 5300Vrms
• Tension collecteur émetteur VCEO : 80V
• Tension LED VF : 1.2V
• Courant LED IF Max : 60mA
• Courant collecteur IC max : 50mA
• Taux de transfert de courant CTR : 20% à 50%
• VCE(sat) : 0.2V
• Température de fonctionnement : -55° à +100°
• Boitier : DIP-6
• Conforme RoHS
• Fabricant : ON Semiconductor

Utiliser pour assurer une isolation électrique entre deux circuits, idéal pour signaux propres plutôt que puissance.