Description
FQPF5N60C Transistor Mosfet N 600V 4.5A TO-220 ONS RoHS
- Transistor MOSFET Canal N
- Tension drain source Vds max : 600V
- Courant drain Id max : 4.5A
- Résistance à l'état passant Rds(on) : 2.5ohm
- Tension de seuil grille Vgs(th) : 4V
- Dissipation de puissance : 33W
- Température de jonction : 150°
- Boitier : TO-220F
- Conforme RoHS
- Fabricant : ON Semiconductor