FQPF2N60C Transistor MOSFET N-CH 600V 2A TO-220FP ONS

FQPF2N60C Transistor MOSFET N-CH 600V 2A TO-220FP ONS RoHS

• Transistor MOSFET Canal N
• Tension drain source Vds max : 600V
• Courant drain Id max : 2A
• Résistance à l'état passant Rds(on) : 4.7ohm
• Tension de seuil grille Vgs(th) : 4V
• Dissipation de puissance : 23W
• Température de jonction : 150°
• Boitier : TO-220F
• Conforme RoHS
• Fabricant : ON Semiconductor