Description
FQP17P06 Transistor MOSFET P 60V 17A TO-220 ONS
- Transistor MOSFET Canal P
- Tension drain source Vds max : -60V
- Courant drain Id max : -17A
- Résistance à l'état passant Rds(on) : 0.12ohm
- Tension de seuil grille Vgs(th) : -4V
- Dissipation de puissance : 79W
- Température de jonction : 175°
- Boitier : TO-220
- Conforme RoHS
- Fabricant : ON Semiconductor