Description
FQP13N06L Transistor MOSFET N-CH 60V 13.6A TO-220 ONS RoHS
- Transistor MOSFET Canal N
- Tension drain source Vds max : 60V
- Courant drain Id max : 13.6A
- Résistance à l'état passant Rds(on) : 110mOhm
- Tension de seuil grille Vgs(th) : 2.5V
- Dissipation de puissance : 45W
- Température de jonction : 175°
- Boitier : TO-220
- Conforme RoHS
- Fabricant : ON Semiconductor