BD912 Transistor PNP BJT 100V 15A 90W STM

BD912 Transistor PNP BJT 100V 15A 90W STM

• Transistor bipolaire PNP (BJT)
• Tension collecteur émetteur Vceo : 100V
• Courant Ic : 15A
• Dissipation de puissance : 90W
• Gaine de courant hFE : 15 à 75
• Fréquence de transistion fT : 3MHz
• Transistor complémentaire : BD911
• Boitier : TO-220
• Conforme RoHS
• Fabricant : STMicroelectronics

Les BD909 et BD911 sont des transistors de puissance NPN à base épitaxiale en silicium montés dans un boîtier en plastique Jedec TO-220. Ils sont destinés à être utilisés dans des applications de puissance linéaire et de commutation.