Description
BC639 Transistor NPN 80V 1A TO-92 CDIL RoHS
- Transistor bipolaire NPN (BJT)
- Tension collecteur émetteur Vceo : 80V
- Courant collecteur Ic : 1A
- Fréquence de transition : 200MHz
- Tension base émetteur Vbe : 1V (500mA)
- Tension de saturation Vce(sat) : 0.5V (500mA)
- Gain en courant hFE : 40 à 160
- Dissipation de puissance : 800mW
- Température de jonction : +150°
- Boitier : TO-92
- Conforme RoHS
- Fabricant : Continental Device India Limited