BC639 Transistor NPN 80V 1A TO-92 CDIL

BC639 Transistor NPN 80V 1A TO-92 CDIL RoHS

• Transistor bipolaire NPN (BJT)
• Tension collecteur émetteur Vceo : 80V
• Courant collecteur Ic : 1A
• Fréquence de transition : 200MHz
• Tension base émetteur Vbe : 1V (500mA)
• Tension de saturation Vce(sat) : 0.5V (500mA)
• Gain en courant hFE : 40 à 160
• Dissipation de puissance : 800mW
• Température de jonction : +150°
• Boitier : TO-92
• Conforme RoHS
• Fabricant : Continental Device India Limited