BC108B Transistor NPN 25V 200mA TO-18 CDIL

BC108B Transistor NPN 25V 200mA TO-18 CDIL 

• Transistor bipolaire NPN (BJT)
• Tension collecteur émetteur Vceo : 25V
• Courant collecteur Ic : 200mA
• Fréquence de transition : 150MHz
• Tension base émetteur Vbe : 1.05V (100mA)
• Tension de saturation Vce(sat) : 0.6V (100mA)
• Gain en courant hFE : 200 à 450
• Dissipation de puissance : 300mW
• Température de jonction : +200°
  
• Boitier : TO-92
• Conforme RoHS
• Fabricant : Continental Device India Limited