2N6491G Transistor BJT PNP 80V 15A 1800mW TO-220AB ONS
Transistor bipolaire PNP (BJT)
Tension collecteur émetteur VCEO : 80V
Courant collecteur max IC : 15A
Courant base max IB : 5A
Dissipation de puissance : 75W
Gain en courant hFE : 20 à 150 (à 5A)
Fréquence de transistion fT : 5MHz
Tension saturation VCE(sat) : 3.5V
Température de fonctionnement : -65° à +150°
Transistor complémentaire : 2N6488
Boitier : TO-220AB
Conforme RoHS
Fabricant : ON Semiconductor
Le transistor de puissance bipolaire PNP de 15 A, 80 V est conçu pour être utilisé dans des applications d'amplificateur et de commutation à usage général. 2N6487, 2N6488 (NPN) ; et 2N6490, 2N6491 (PNP) sont des dispositifs complémentaires.
