2N2905A Transistor BJT PNP 60V 600mA TO-39 CDIL

2N2905A Transistor PNP 60V 600mA TO-39 CDIL RoHS

• Transistor bipolaire PNP (BJT)
• Tension collecteur émetteur Vceo : 60V
• Courant collecteur Ic : 600mA
• Fréquence de transition : 200MHz
• Tension base émetteur Vbe : 2.6V (500mA)
• Tension de saturation Vce(sat) : 1.6V (500mA)
• Gain en courant hFE : 100 à 300
• Dissipation de puissance : 600mW
• Température de jonction : +200°
• Boitier : TO-39
• Conforme RoHS
• Fabricant : Continental Device India Limited