Description
2N2102 Transistor NPN 65V 1A TO-39 CDIL RoHS
- Transistor bipolaire NPN (BJT)
- Tension collecteur émetteur Vceo : 65V
- Courant collecteur Ic : 1A
- Fréquence de transition : 60MHz
- Tension base émetteur Vbe : 1.1V (150mA)
- Tension de saturation Vce(sat) : 0.5V (150mA)
- Gain en courant hFE : 40 à 120
- Dissipation de puissance : 1W
- Température de jonction : +200°
- Boitier : TO-39
- Conforme RoHS
- Fabricant : Continental Device India Limited