FDN357N Transistor Mosfet N-CH 30V 1.9A 0.06ohm SOT-23 ONS

FDN357N Transistor Mosfet N-CH 30V 1.9A 0.06ohm SOT-23 ONS

• Mosfet de puissance canal N
• Tension Drain-Source Vds : 30V
• Courant de drain Id : 2.5A
• Résistance Drain-Source à l'état-ON : 0.06ohm
• Dissipation de puissance : 500mW
• Température d'utilisation Max. : 150°
• Boitier : SOT-23
• Conforme RoHS
• Fabricant : ON Semiconductor