BPW85B Phototransistor Chip Silicon 850nm T-1 Vishay RoHS

BPW85B Phototransistor Chip Silicon 850nm T-1 Vishay 

• Type : Phototransistor
• Polarité : NPN
• Crête de longueur d'onde : 850nm
• Courant de lumière maximal : 4000uA
• Courant collecteur maximal : 50mA
• Tension maximale de collecteur émetteur : 5V
• Tension collecteur-émetteur maximale : 70V
• Dissipation de puissance maximale : 100mw
• Température de fonctionnement : -40° +100°
• Diamètre : 3.4mm
• Conforme RoHS
• Fabricant : Vishay