SIHP240N60E-GE3 Transistor MOSFET N-CH 600V 12A TO-220AB Vishay

SIHP240N60E-GE3 Transistor MOSFET N-CH 600V 12A TO-220AB Vishay 

• Transistor MOSFET canal N
• Tension drain source Vds max : 600V
• Courant continu Id : 12A
• Courant impulsionnel Idm : 30A
• Résistance Rds(on) : 0.24ohm
• Tension de seuil Vgs(th) : 5V
• Tension grille max (Vgs) : +30V
• Dissipation de puissance : 78W
• Température de jonction : -55° +150°
• Boitier : TO-220AB
• Conforme RoHS
• Fabricant : Vishay

Utiliser pour les applications de puissance moyenne à haute tension avec bonnes performances en commutation.