Description
SIHP240N60E-GE3 Transistor MOSFET N-CH 600V 12A TO-220AB Vishay
- Transistor MOSFET canal N
- Tension drain source Vds max : 600V
- Courant continu Id : 12A
- Courant impulsionnel Idm : 30A
- Résistance Rds(on) : 0.24ohm
- Tension de seuil Vgs(th) : 5V
- Tension grille max (Vgs) : +30V
- Dissipation de puissance : 78W
- Température de jonction : -55° +150°
- Boitier : TO-220AB
- Conforme RoHS
- Fabricant : Vishay
Utiliser pour les applications de puissance moyenne à haute tension avec bonnes performances en commutation.