BC559B Transistor PNP -30V -100mA 500mW TO-92 CDIL

BC559B Transistor NPN 30V 100mA 0.5W TO-92 CDIL RoHS

• Transistor bipolaire PNP (BJT)
• Tension collecteur émetteur Vceo : -30V
• Courant collecteur Ic : -100mA
• Fréquence de transition : 100MHz
• Tension base émetteur Vbe : 0.82V (10mA)
• Tension de saturation Vce(sat) : 0..65V (100mA)
• Gain en courant hFE : 200 à 450
• Dissipation de puissance : 500mW
• Température de jonction : +150°
  
• Boitier : TO-92
• Conforme RoHS
• Fabricant : Continental Device India Limited