Description
SIHP14N60E-GE3 Transistor MOSFET N-CH 600V 13A TO-220AB Vishay RoHS
- Transistor MOSFET canal N
- Tension drain source Vds : 600V
- Courant continu Id : 13A
- Résistance Rds(on) : 0.27 à 0.31ohm
- Tension grille source Vgs : 30V
- Tension seuil Vgs(th) : 4V
- Dissipation de puissance : 147W
- Température d'utilisation : -55° +150°
- Boitier : TO-220AB
- Conforme RoHS
- Fabricant : Vishay