Description
BD136 Transistor BJT PNP 45V 1.5A 1250mW SOT-32 STM RoHS
- Transistor Bipolaire PNP (BJT)
- Tension collecteur émetteur VCEO : -45V
- Courant collecteur IC : -1.5A
- Tension base émetteur Vbe : 1V
- Tension saturation : Vce(sat) : 0.5V
- Dissipation de puissance : 12.5W
- Température de jonction max : 150°
- Gain en courant Hfe : 40 à 250
- Transistor complémentaire : BD135
- Boitier : SOT-32
- Conforme RoHS
- Fabricant : STMicroelectronics