KSD1691-Y Transistor BJT NPN 60V 5A 20W TO-126 ONS RoHS

KSD1691G Transistor BJT NPN 60V 5A 1300mW 200 à 400hFE TO-126 ONS RoHS

• Faible tension de saturation du collecteur-émetteur et grand courant de collecteur
• Dissipation De Puissance Élevée : PC= 1,3 W (Ta=25°C)
• Complémentaire à KSB1151

Lien fichier technique : https://www.onsemi.com/download/data-sheet/pdf/ksd1691-d.pdf