2N3704 Transistor BJT NPN 30V 600mA 0.36W TO-92 CDIL

2N3704 Transistor NPN 30V 600mA 0.36W TO-92 CDIL RoHS

• Transistor bipolaire NPN (BJT)
• Tension collecteur émetteur Vceo : 30V
• Courant collecteur Ic : 600mA
• Fréquence de transition : 100MHz
• Tension base émetteur Vbe : 0.5 à 1V (100mA)
• Tension de saturation Vce(sat) : 0.6V (100mA)
• Gain en courant hFE : 100 à 300
• Dissipation de puissance : 625mW
• Température de jonction : +200°
• Boitier : TO-92
• Conforme RoHS
• Fabricant : Continental Device India Limited