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BPW85C Phototransistor chip silicon 850nm T-1 Vishay
- Type : Phototransistor
- Polarité : NPN
-
Crête de longueur d'onde : 850nm
-
Courant de lumière maximal : 8000uA
- Courant collecteur maximal : 50mA
-
Tension maximale de collecteur émetteur : 5V
-
Tension collecteur-émetteur maximale : 70V
- Dissipation de puissance maximale : 100mw
-
Température de fonctionnement : -40° +100°
- Diamètre : 3.4mm
- Conforme RoHS
- Fabricant : Vishay
Stock bas : 4 restant(s)
Vishay
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