BD439 Transistor NPN 60V 4A TO-126 STM

BD439 Transistor NPN 60V 4A TO-126 STM

• Transistor Bipolaire NPN (BJT)
• Tension collecteur émetteur VCEO : 60V
• Courant collecteur IC : 4A
• Tension base émetteur  Vbe : 1V
• Tension saturation : Vce(sat) : 0.58V
• Dissipation de puissance : 36W
• Température de jonction max : 150°
• Gain en courant Hfe : 40 à 140
• Fréquence de transition : 3MHz
• Transistor complémentaire : BD440
• Boitier : SOT-32
• Conforme RoHS
• Fabricant : STMicroelectronics