BD135 Transistor BJT NPN 45V 1.5A 1.25W TO-126 STM

BD135 Transistor BJT NPN 45V 1.5A 1.25W SOT-32 STM

• Transistor Bipolaire NPN (BJT)
• Tension collecteur émetteur VCEO : 45V
• Courant collecteur IC : 1.5A
• Tension base émetteur  Vbe : 1V
• Tension saturation : Vce(sat) : 0.5V
• Dissipation de puissance : 12.5W
• Température de jonction max : 150°
• Gain en courant Hfe : 40 à 250
• Transistor complémentaire : BD136
• Boitier : SOT-32
• Conforme RoHS
• Fabricant : STMicroelectronics