Description
2N2907A Transistor BJT PNP 60V 600mA TO-18 CDIL
- Transistor bipolaire PNP (BJT)
- Tension collecteur émetteur Vceo : -60V
- Courant collecteur Ic : -600mA
- Fréquence de transition : 200MHz
- Tension base émetteur Vbe : 1.3V (150mA)
- Tension de saturation Vce(sat) : 0.4V (150mA)
- Gain en courant hFE : 100 à 300
- Dissipation de puissance : 400mW
- Température de jonction : +150°
- Transistor complémentaire : 2N2222A
- Boitier : TO-92
- Conforme RoHS
- Fabricant : Continental Device India Limited