Description
TIP31G Transistor BJT NPN 40V 3A TO-220AB ONS RoHS
- Transistor bipolaire NPN (BJT)
- Tension collecteur émetteur VCEO : 40V
- Courant collecteur Ic : 3A
- Gain en courant hFE : 10 à 50
- Tension base émetteur Vbe : 1.8V
- Tension de saturation Vce(sat) : 1.2Vdc
- Dissipation de puissance : 40W
- Température de jonction : +150°
- Boitier : TO-220AB
- Conforme RoHS
- Fabricant : ON Semiconductor