TIP101G Transistor Darlington NPN 80V 8A 2000mW TO-220AB ONS

TIP101G Transistor Darlington NPN 80V 8A 2000mW TO-220AB ONS RoHS

• Transistor Darlington NPN 
• Tension collecteur émetteur VCEO : 80V
• Courant collecteur IC : 8A
• Tension base émetteur  Vbe : 2.8V
• Tension saturation : Vce(sat) : 2V
• Dissipation de puissance : 80W
• Température de jonction max : 150°
• Gain en courant Hfe : 1000 à 2500
• Boitier : TO-220AB
• Conforme RoHS
• Fabricant : ON Semiconductor