Description
TIP101G Transistor Darlington NPN 80V 8A 2000mW TO-220AB ONS RoHS
- Transistor Darlington NPN
- Tension collecteur émetteur VCEO : 80V
- Courant collecteur IC : 8A
- Tension base émetteur Vbe : 2.8V
- Tension saturation : Vce(sat) : 2V
- Dissipation de puissance : 80W
- Température de jonction max : 150°
- Gain en courant Hfe : 1000 à 2500
- Boitier : TO-220AB
- Conforme RoHS
- Fabricant : ON Semiconductor