Description
STP3NK50Z Transistor MOSFET N-CH 500V 2.3A TO-220AB STM RoHS
- Transistor MOSFET canal N
- Tension drain source Vds max : 500V
- Courant drain Id : 2.3A
- Courant impulsion Idm : 9A
- Résistance Rds(on) : 3.3ohm
- Tension grille (Vgs max) : 30V
- Commande typique : 10V sur la grille
- Dissipation de puissance : 45W
- Température de jonction : 150°
- Boitier : TO-220
- Conforme RoHS
- Fabricant : STM
