Description
MPSA94 Transistor BJT PNP -400V 300mA TO-92 CDIL RoHS
- Transistor bipolaire NPN (BJT)
- Tension collecteur émetteur Vceo : -400V
- Courant collecteur Ic : -300mA
- Fréquence de transition :
- Tension base émetteur Vbe : 0.75V (10mA)
- Tension de saturation Vce(sat) : 0.75V (50mA)
- Gain en courant hFE : 200 à 600
- Dissipation de puissance : 625mW
- Température de jonction : +150°
- Boitier : TO-92
- Conforme RoHS
- Fabricant : Continental Device India Limited