Description
MJD44H11 Transistor BJT NPN 80V 8A 20W TO-252 Nexperia
- Transistor bipolaire NPN (BJT)
- Tension collecteur émetteur Vce max : 80V
- Courant collecteur IC max : 8A
- Dissipation de puissance : 20W
- Fréquence de transition fT : 160MHz
- Gain en courant hFE : 40
- Température d'utilisation : -55° +150°
- Boitier : TO-252
- Conforme RoHS
- Fabricant : Nexperia