Description
IRF540NPBF Transistor MOSFET 100V 33A TO-220 Infineon RoHS
- Transistor MOSFET canal N
- Technologie : HEXFET
- Tension drain source Vds max : 100V
- Courant drain continu Id : 33A
- Courant impulsion Idm : 110A
- Resistance Rds(on) : 44mohm
- Tension de seuil de grille Vgs(th) : 2 à 4V
- Tension grille max Vgs : 20V
- Dissipation de puissance : 150W
- Température de jonction : +175°
- Boitier : TO-220
- Conforme RoHS
- Fabricant : Infineon