Description
FQPF2N60C Transistor MOSFET N-CH 600V 2A TO-220FP ONS RoHS
- Transistor MOSFET Canal N
- Tension drain source Vds max : 600V
- Courant drain Id max : 2A
- Résistance à l'état passant Rds(on) : 4.7ohm
- Tension de seuil grille Vgs(th) : 4V
- Dissipation de puissance : 23W
- Température de jonction : 150°
- Boitier : TO-220F
- Conforme RoHS
- Fabricant : ON Semiconductor