FQP4N20L Transistor MOSFET N-CH 200V 3.8A TO-220 ONS

FQP4N20L Transistor MOSFET N-CH 200V 3.8A TO-220 ONS

• Transistor MOSFET Canal N
• Tension drain source Vds max : 200V 
• Courant drain Id max : 3.8A
• Résistance à l'état passant Rds(on) : 1.35Ohm
• Tension de seuil grille Vgs(th) : 1 à 2V
• Dissipation de puissance : 45W
• Température de jonction : 150°
• Boitier : TO-220
• Conforme RoHS
• Fabricant : ON Semiconductor