Description
FQP4N20L Transistor MOSFET N-CH 200V 3.8A TO-220 ONS
- Transistor MOSFET Canal N
- Tension drain source Vds max : 200V
- Courant drain Id max : 3.8A
- Résistance à l'état passant Rds(on) : 1.35Ohm
- Tension de seuil grille Vgs(th) : 1 à 2V
- Dissipation de puissance : 45W
- Température de jonction : 150°
- Boitier : TO-220
- Conforme RoHS
- Fabricant : ON Semiconductor