Description
FDN357N Transistor Mosfet N-CH 30V 1.9A 0.06ohm SOT-23 ONS
- Mosfet de puissance canal N
- Tension Drain-Source Vds : 30V
- Courant de drain Id : 2.5A
- Résistance Drain-Source à l'état-ON : 0.06ohm
- Dissipation de puissance : 500mW
- Température d'utilisation Max. : 150°
- Boitier : SOT-23
- Conforme RoHS
- Fabricant : ON Semiconductor