Description
BD912 Transistor PNP BJT 100V 15A 90W STM
- Transistor bipolaire PNP (BJT)
- Tension collecteur émetteur Vceo : 100V
- Courant Ic : 15A
- Dissipation de puissance : 90W
- Gaine de courant hFE : 15 à 75
- Fréquence de transistion fT : 3MHz
- Transistor complémentaire : BD911
- Boitier : TO-220
- Conforme RoHS
- Fabricant : STMicroelectronics
Les BD909 et BD911 sont des transistors de puissance NPN à base épitaxiale en silicium montés dans un boîtier en plastique Jedec TO-220. Ils sont destinés à être utilisés dans des applications de puissance linéaire et de commutation.