BCY58-8 Transistor NPN 32V 200mA TO-18 CDIL

BCY58-8 Transistor NPN 32V 200mA TO-18 CDIL 

• Transistor bipolaire NPN (BJT)
• Tension collecteur émetteur Vceo : 32V
• Courant collecteur Ic : 200mA
• Fréquence de transition : 125MHz
• Tension base émetteur Vbe : 0.75 à 1.2V (100mA)
• Tension de saturation Vce(sat) : 0.15 à 0.70V (100mA)
• Gain en courant hFE : 180 à 310
• Dissipation de puissance : 600mW
• Température de jonction : +200°
  
• Boitier : TO-92
• Conforme RoHS
• Fabricant : Continental Device India Limited