Description
BCY58-10 Transistor NPN 32V 200mA TO-18 CDIL
- Transistor bipolaire NPN (BJT)
- Tension collecteur émetteur Vceo : 32V
- Courant collecteur Ic : 200mA
- Fréquence de transition : 125MHz
- Tension base émetteur Vbe : 0.75 à 1.2V (100mA)
- Tension de saturation Vce(sat) : 0.15 à 0.70V (100mA)
- Gain en courant hFE : 380 à 630
- Dissipation de puissance : 600mW
- Température de jonction : +200°
- Boitier : TO-92
- Conforme RoHS
- Fabricant : Continental Device India Limited