Description
BC108C Transistor NPN 25V 200mA TO-18 CDIL RoHS
- Transistor bipolaire NPN (BJT)
- Tension collecteur émetteur Vceo : 25V
- Courant collecteur Ic : 200mA
- Fréquence de transition : 150MHz
- Tension base émetteur Vbe : 1.05V (100mA)
- Tension de saturation Vce(sat) : 0.6V (100mA)
- Gain en courant hFE : 420 à 800
- Dissipation de puissance : 300mW
- Température de jonction : +200°
- Boitier : TO-92
- Conforme RoHS
- Fabricant : Continental Device India Limited