2N5415 Transistor PNP TO-39 200V 1A CDIL

2N5415 Transistor PNP TO-39 200V 1A CDIL RoHS

• Transistor bipolaire PNP (BJT)
• Tension collecteur émetteur Vceo : 200V
• Courant collecteur Ic : 1A
• Fréquence de transition : 15MHz
• Tension base émetteur Vbe : 1.5V (50mA)
• Tension de saturation Vce(sat) : 2.5V (50mA)
• Gain en courant hFE : 30 à 150
• Dissipation de puissance : 1W
• Température de jonction : +200°
• Boitier : TO-39
• Conforme RoHS
• Fabricant : Continental Device India Limited