Description
2N5415 Transistor PNP TO-39 200V 1A CDIL RoHS
- Transistor bipolaire PNP (BJT)
- Tension collecteur émetteur Vceo : 200V
- Courant collecteur Ic : 1A
- Fréquence de transition : 15MHz
- Tension base émetteur Vbe : 1.5V (50mA)
- Tension de saturation Vce(sat) : 2.5V (50mA)
- Gain en courant hFE : 30 à 150
- Dissipation de puissance : 1W
- Température de jonction : +200°
- Boitier : TO-39
- Conforme RoHS
- Fabricant : Continental Device India Limited
