Description
2N3019 Transistor NPN TO-39 80V 1A CDIL RoHS
- Transistor bipolaire NPN (BJT)
- Tension collecteur émetteur Vceo : 80V
- Courant collecteur Ic : 1A
- Fréquence de transition : 100MHz
- Tension base émetteur Vbe : 1.1V (150mA)
- Tension de saturation Vce(sat) : 0.2V (150mA)
- Gain en courant hFE : 100 à 300
- Dissipation de puissance : 800mW
- Température de jonction : +200°
- Boitier : TO-39
- Conforme RoHS
- Fabricant : Continental Device India Limited