2N3019 Transistor BJT NPN 80V 1A TO-39 CDIL

2N3019 Transistor NPN TO-39 80V 1A CDIL RoHS

• Transistor bipolaire NPN (BJT)
• Tension collecteur émetteur Vceo : 80V
• Courant collecteur Ic : 1A
• Fréquence de transition : 100MHz
• Tension base émetteur Vbe : 1.1V (150mA)
• Tension de saturation Vce(sat) : 0.2V (150mA)
• Gain en courant hFE : 100 à 300
• Dissipation de puissance : 800mW
• Température de jonction : +200°
• Boitier : TO-39
• Conforme RoHS
• Fabricant : Continental Device India Limited