2N2102 Transistor BJT NPN 65V 1A TO-39 CDIL

2N2102 Transistor NPN 65V 1A TO-39 CDIL RoHS

• Transistor bipolaire NPN (BJT)
• Tension collecteur émetteur Vceo : 65V
• Courant collecteur Ic : 1A
• Fréquence de transition : 60MHz
• Tension base émetteur Vbe : 1.1V (150mA)
• Tension de saturation Vce(sat) : 0.5V (150mA)
• Gain en courant hFE : 40 à 120
• Dissipation de puissance : 1W
• Température de jonction : +200°
• Boitier : TO-39
• Conforme RoHS
• Fabricant : Continental Device India Limited